Intel сертифицирани DDR3 модули памет от Hynix

В раздел: Новини от Кирил Венев (Ba4o Kiro) на 20.11.2009,

Един от най-големите производители на модули и чипове памет – Hynix Semiconductor съобщиха, че техните 40nm 2GB DDR3 DRAM модули и чипове са преминали успешно тестовете на Intel и са официално серифицирани за работа в техните системи. Списъка със сертифицираните модули включва самите 2GB DRAM чипове, 4GB DDR3 SO-DIMM и 2GB DDR3 UDIMM модули памет, всички работещи на 1333MHz при работно напрежение 1,5V.

“В момента потребителите пазара преминават все по-бързо от към по-висока плътност на паметта върху един модул с цел повишаване на общата производителност на наличните  и бъдещи сървъри и настолни системи. Точно заради това имаме намерението да предложим най-добрите 1GB и 2GB решения на пазара с новите ни продукти.” в казал  г-н. Дж.Би. Ким (J.B. Kim), главен маркетинг директор на Hynix.

Според производителя, новите 40nm 2GB DRAM консумират 40% по малко ток отколкото произведените по 50nm технологичен процес DDR3 чипове и предлагат 60% повече годни чипове от една силициева подложка.

Подобни публикации:

• DDR4 ще е масовата оперативна памет за PC през 2015г.
• Dominator GTX DDR3 2250MHz – нова супер бърза памет от Corsair
• 8GB и 12GB комплекти памет от SuperTalent
• ASUS K53B е с Brazos
• “Copperhead” – нова линия DDR3 памети от Mushkin

Етикети: 1.5V, 1333MHz, 2GB DDR3 UDIMM, 40nm 2GB DDR3 DRAM, 4GB DDR3 SO-DIMM, DDR3, Hynix, Hynix Semiconductor, J.B. Kim